ゲート・ドライバとGaN パワー・トランジスタを集積した非対称型トポロジ向けのSiPを発表

STマイクロエレクトロニクス


STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ（SiP）「MasterGaN(R)」に、非対称型トポロジ向けの新製品であるMasterGaN2を追加しました。同製品は、2個の非対称型GaNトランジスタを搭載し、ソフト・スイッチングや動的整流コンバータ・トポロジに適したGaNソリューションを提供します。

MasterGaN2に搭載された2個の650Vノーマリー・オフ型GaNトランジスタは、それぞれオン抵抗（RDS（on））が150mΩと225mΩで、最適化されたゲート・ドライバが結合されています。そのため、一般的なシリコン・ベースの製品と同様に、簡単に使用することが可能です。先進的な集積技術とGaN特有の優れた性能を組み合わせることで、アクティブ・クランプ・フライバックなどのトポロジにおいて、さらなる効率向上、小型化、および軽量化を実現します。

MasterGaNは、2個のGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）と高耐圧ゲート・ドライバを1パッケージに集積しており、必要な保護メカニズムをすべて内蔵しています。また、マイクロコントローラ、DSPユニット、FPGAなどのコントローラ、およびホール・センサといった外付け部品に簡単に接続可能です。ロジック入力は3.3V～15Vの信号と互換性があるため、回路設計を簡略化による部品コストの削減や、実装面積の小型化、および組立工程の効率化に貢献します。これにより、アダプタや高速充電器の電力密度が向上します。

GaN技術は、USB-PDアダプタやスマートフォン充電器の高速化を実現します。MasterGaNは、一般的なシリコン・ベースのソリューションと比較して、充電器とアダプタで最大80%の小型化と70%の軽量化、および3倍の充電速度を実現します。

MasterGaN2は、ローサイドおよびハイサイドの減電圧ロックアウト（UVLO）、ゲート・ドライバのインターロック、専用シャットダウン端子、および過熱保護などの保護機能を内蔵しています。また、高電圧パッドと低電圧パッドの沿面距離が2mmを超える高電圧アプリケーションに最適なGQFNパッケージ（9 x 9 x 1mm）で提供されます。

MasterGaN2は現在量産中で、単価は1000個購入時に約6.50ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
（ https://www.st.com/ja/power-management/gate-drivers.html ）

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約46,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な独立系総合半導体メーカーです。約10万社のお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT・5G通信の普及を可能にします。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。

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