Samsungから、ついにPCIe5.0×4インターフェースに対応するNVMe M.2 SSDとなる「9100 PRO」シリーズが発表されたが、このたび、国内での販売時期と価格がITGマーケティングから発表された。
これまでPCIe5.0×2をサポートした「990 EVO」ならびに「990 EVO Plus」シリーズを投入しているが、メインの接続はPCI 4.0×4で、最大転送速度も高速ではあるものの、一般的とも言える7250MB/秒(990 EVO Plus)だった。
そんなSamsungが満を持して投入したのが、PCIe5.0×4インターフェースのパフォーマンスを最大限に引き出した最大読み出し速度1万4800MB/秒、最大書き込み速度1万3400MB/秒を発揮するハイエンドNVMe M.2 SSDの「9100 PRO」シリーズなのだ。
ランダム読み出しと書き込み速度も、PCIe4.0×4接続のハイエンドモデルとなる「990 PRO」から、2200K/2600K IOPSにアップしているうえ、消費電力は数ワット上昇しているが、電源効率は49%の向上を実現している。各社のノートパソコンなど向けに組み込みモデルの提供なども行なっているSamsungだけに「9100 PRO」シリーズは、10GB/秒超えの圧倒的転送速度を発揮しながら、最大2.5W(4TB比較)の消費電力アップに留め、PCIe5.0 SSD運用時の懸念だった発熱を抑えられたことでの、製品投入と見ることができる。
ラインアップはヒートシンク非装着の「9100 PRO」と装着モデルの「9100 PRO ヒートシンクモデル」を用意し、容量は1TB、2TB、4TB、8TB(2025年後半発売予定)の4モデルになる。主な仕様は以下の通りだ。
| SSD 9100 PROのラインアップと主要スペック | |||
|---|---|---|---|
| 容量 | 1TB | 2TB | 4TB |
| 型番 | MZ-VAP1T0B-IT MZ-VAP1T0B-IT/EC |
MZ-VAP2T0B-IT MZ-VAP2T0B-IT/EC |
MZ-VAP4T0B-IT MZ-VAP4T0B-IT/EC |
| インターフェース | PCIe Gen 5.0 x4、NVMe 2.0 | ||
| フォームファクター | M.2 2280 | ||
| コントローラー | Samsung 自社製コントローラー | ||
| NAND フラッシュ | Samsung V-NAND TLC | ||
| DRAMキャッシュ | 1GB LPDDR4X | 2GB LPDDR4X | 4GB LPDDR4X |
| 連続読み込み(最大) | 1万4700MB/秒 | 1万4700MB/秒 | 1万4800MB/秒 |
| 連続書き込み(最大) | 1万3300MB/秒 | 1万3400MB/秒 | 1万3400MB/秒 |
| ランダム読み込み(最大) | 1850K IOPS | 1850K IOPS | 2200K IOPS |
| ランダム書き込み(最大) | 2600K IOPS | 2600K IOPS | 2600K IOPS |
| 消費電力 読み出し時 | 7.6 W | 8.1 W | 9.0 W |
| 消費電力 書き込み時 | 7.2 W | 7.9 W | 8.2 W |
| TBW | 600TB | 1200TB | 2400TB |
| 保証期間 | 5年限定保証 | ||
4TBモデルも片面実装で実現
ここでは容量4TBの「MZ-VAP4T0B-IT」とヒートシンクモデルの「MZ-VAP4T0C-IT」を触る機会を得られたので、まずはその外観を眺めていこう。
「9100 PRO」は、「990 PRO」などと同じく、Samsung独自のコントローラーとV-NAND TLCで構成され、LPDDR4X仕様のDRAMキャッシュも搭載している。V-NAND TLCは最新世代で、容量4TBでも2チップの片面実装を実現している。消費電力や発熱だけでなく、これにより内部のスペースが限られるノートパソコンへの組み込みが、より現実味を帯びてくるだろう。
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