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米SuVoltaの「PowerShrink」

IoTで求められる低消費電力化を推進!三重富士通セミコンダクターが超低消費電力CMOS技術の知的財産権を取得

2015年04月08日 17時04分更新

文● ASCII.jp編集部

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 三重富士通セミコンダクターは4月8日、米SuVoltaの「PowerShrink」超低消費電力CMOS技術の知的財産権を取得したと発表した。

三重富士通セミコンダクターが注目してきたDDCトランジスタ

 ウェアラブルデバイスやIoT(Internet of Things)デバイスの爆発的な成長に伴い、ファウンドリなど半導体製造会社は微細化に加えて低消費電力化が求められている。三重富士通セミコンダクターはこの超低消費電力プロセスを実現する技術として、より小さなしきい値(Vt)ばらつきを持つDDCトランジスタからなるPowerShrink低消費電力CMOS技術に注目。

 自社が持つ高度なプロセス技術と組み合わせる技術開発を、SuVoltaと共同で推進してきた。その共同開発の成果として、2013年9月にはこの技術を採用した55nm製品の量産を開始している。

 今回の知的財産権の取得により同社は、既存プロセスのさらなる低消費電力技術の開発および40nmプロセスへの展開、ウェアラブルやIoT対応プロダクトに不可欠な不揮発性メモリ素子、RF素子を組み合わせたプラットフォームの構築を図る。

 さらに、Extreme Low Power(当社LP比1/1000 Static leak power)のプラットフォーム構築によって、同世代で世界一(同社調べ)の超低消費電力技術を提供することで、顧客の製品の市場競争力および飛躍的な性能の向上を実現し、IoT社会の発展に貢献するとしている。

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