CGD、GANデバイスの製造プロセスの堅牢性と信頼性を高める独自の2Dバーコード技術を発表

Cambridge GaN Devices Ltd.
市販のコードリーダーで読み取り、IC製造に使用するウェハ位置を特定できる初のGaNチップ用2次元バーコード


エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスのクリーンテック半導体企業であるCambridge GaN Devices（CGD）( https://camgandevices.com/ )は標準的な市販のコードリーダーで読み取り可能な2次元バーコードをGaN ICに組み込むという革新的な技術を発表しました。この技術により、パッケージされたデバイスをスキャンして回路とロットを特定できるだけでなく、個々のダイが製造されたウェハの場所を正確に知ることができます。プロセスの耐久性と信頼性に関する重要なデータを提供する際、この技術は非常に重要な意味を持ちます。

Zahid Ansari | オペレーション担当VP、CGD
「パッケージングチームと協力して個々の二次元バーコードの組み込む技術を開発した結果、プロセスを完全に把握し、信頼性の問題を解決できるようになりました。例えば、歩留まりが最も低いのはウェハのエッジ部分であることが知られていますが、この技術によってウェハ上の位置がデバイスの性能に与える影響を見ることができるようになります。この情報をファウンドリにフィードバックすれば、製造工程を継続的に改善できます。

安価な市販のバーコードリーダーを使ってデバイスを即座に識別できるため、高信頼性分野で事業を展開する企業にとって大きな関心事である、偽造防止対策の迅速化という点でも重要な意味を持っています」。

Giorgia Longobardi | CEO、CGD
「私たちはICeGaN(TM) HEMTの堅牢性と信頼性を証明するデータを大量に持っていますが、GaNはパワーエレクトロニクス・アプリケーション向けの従来型シリコンと比較すると、まだ比較的新しい技術です。二次元バーコードを組み込むことで、製造サプライチェーンに極めて迅速なフィードバックを提供できるようになるため、関係の強化と大量生産に向けた拡張に役立ちます」。


Cambridge GaN Devicesについて
Cambridge GaN Devices（CGD）は2016年にFlorin Udrea教授とGiorgia Longobardi博士がケンブリッジ大学からスピンアウトしたファブレス半導体企業で、パワーデバイスにおける革新的な技術を開発しています。拡張段階に入った現在、CGDはエネルギー効率の高いGaNソリューションを提供することで、日常生活にイノベーションをもたらすというミッションを掲げています。CGDはエネルギー効率と小型化において飛躍的な進化をもたらすGaNトランジスタとICを設計、開発、販売している企業であり、大量生産を強みとしています。CGDのICeGaN(TM)テクノロジーは業界をリードするイノベーションのスキルと大志をベースとして継続的に拡大する強力なIPポートフォリオによって保護されています。数百万ドルのシードファンドとシリーズA、シリーズBの個人投資に加え、CGDはこれまでにiUK、BEIS、EU（Penta）から4件のプロジェクトへの資金提供を獲得しました。CGDチームが持つ技術的、商業的な専門知識とパワーエレクトロニクス市場での豊富な実績は当社の独自技術が早期に市場からの関心を惹く基盤になっています。