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1ダイあたり最大48GBの容量を実現

インテルとマイクロン、32層積層の3D NANDフラッシュメモリーを共同開発

2015年03月27日 14時54分更新

文● 松野/ASCII.jp

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1ダイあたり最大48GBの容量を実現する3次元構造NANDフラッシュメモリーが登場

 米インテルと米マイクロンは現地時間3月26日、1ダイあたり最大48GBの容量を実現する3次元構造NANDフラッシュメモリーを共同開発したと発表した。

 従来の平面構造NANDに対し、1つのダイの中でセルを垂直方向に32層重ね合わせる積層構造を採用することで、板ガムサイズのSSDで3.5TB以上、標準的な2.5インチSSDで10TB以上のストレージ容量を搭載可能になるとしている。より小スペースに大容量を搭載できるため、コスト削減、消費電力低減、パフォーマンスの向上にも寄与する。また、容量は垂直に積層されたセル数により決定されるため、個別のセル容量のみを大幅に増やすことも可能とのこと。

 これまでの平面NANDは製造プロセスの微細化により面積あたりの容量を増やしてきたが、セルの間隔が狭まるにつれて電気的な干渉が発生、エラー率が高まることが知られていた。積層構造のNANDでは干渉を回避しつつ容量を増やせるほか、これまで干渉問題の対策のために採用されてきた、ストレージに書き込まれたデータが正確かどうかを検証するベリファイ作業を簡略化できるため、高速な書き換え処理が可能となり、速度が向上するなどのメリットがある。

 256GbitMLC 3D NANDはすでに一部パートナー向けにサンプル出荷済みで、また384GbitTLC 3D NANDは今春後半にサンプル出荷される予定。両デバイスは2015年第4四半期までに量産出荷される見込みだ。

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