新技術で競合に追いつく
さらに2011年からは4F^2タイプという、従来にない構造をとることで完全に競合メーカーに追いつき、考え方によっては追い抜くことになった。
このFというのは最小寸法加工で、一般的なDRAMセルを4F^2にすることで、DRAMセルの面積を3分の2に減らせるという優れものである。つまりダイサイズが同じなら容量を1.5倍に増やせるわけで、プロセス微細化だけで実現しようとすれば36nmあたりに相当する製品になるからだ。
もっともこれ、試作に関してはその後エルピーダメモリーなどが発表しているが、最終的に量産にこぎつけたメーカーは1社もないあたりが、加工の難しさを物語っている。ただこの時点ではまだ4F^2には楽観的であった。
ちなみに埋め込みワード線の模式図が下の画像である。横に長く広がっている赤い部分がワード線(ワード方向の配線)であるが、これを絶縁膜の中に埋め込むことで消費電力を抑えることが可能になる。
実際同社の75nm世代はもとより、58nm世代のチップと比較しても埋め込みワード線タイプの65nm品の方が低消費電力になる、という見通しであった。
新技術での生産の前に倒産
残念ながら、そこまで同社は持ちこたえなかった。不況の影響を受け、同社の2008年第3四半期の決算は売上が前四半期比で7%減、前年比で48%減の3億8400万ユーロ、営業損失は3億8600万ユーロであった。
そもそもこの3四半期での合計の損失は14億4400万ユーロに達しており、前年の3四半期合計利益の1200万ユーロから一転しての大赤字になった。
最終的に自力更生は不可能と判断した経営陣は2009年1月にドレスデン地方裁判所にinsolvency protection(日本で言う会社更生法)の申請を出す。これに続き、同社の世界中の子会社も相次いで破産申告をすることになった。
同社の75nmのトレンチタイプの技術はNanya Technologyに、GDDR3/GDDR5の技術はエルピーダメモリーにそれぞれ技術移管されたが、同社を救うはずであった埋め込みワード線の技術はライセンスされなかったようだ。
その後競合メーカーも埋め込みワード線技術は採用しているが、これはQimondaの開発したものとは異なる方法で実装されている。新規株式公開から3年たたずに破綻、というあたりがDRAMビジネスの難しさを物語っていると言えよう。
本記事はアフィリエイトプログラムによる収益を得ている場合があります

この連載の記事
-
第888回
PC
NVIDIA Rubin Ultra開発中止の真相! 180層CoWoS-Lの歪曲トラブルと、急造ラックNVL576に透ける苦肉の策 -
第887回
PC
AIなしではもはや限界 TSMCが明かすメモリー開発にAIが不可欠となった現実 -
第886回
PC
CFETの足を引っ張るPMOSを救え! imecが提案する新絶縁層と、あえて精度を緩める「Notch Alignment」の妙手 -
第885回
PC
TSMCも次世代「CFET」の全貌を披露! Forksheetスキップの背景と、世界最小6T SRAM実証で見えた2030年への布石 -
第884回
PC
Samsungが次世代CFETの試作に成功! IBMの10万ドル方式に対抗する、量産重視な「一括形成プロセス」のリアリティ -
第883回
PC
TSMCのA16プロセスの詳細が判明! 性能向上の主因はトランジスタではなく裏面電源供給(SPR)にあり? -
第882回
PC
IBMが0.7nmチップの製造に成功! 変態的CFET構造NanoStackの凄みと、あまりに高すぎる製造コストの壁 -
第881回
PC
同一周波数で消費電力18%削減! 進化した「Intel 18A-P」はどこが変わったのか? -
第880回
PC
次世代NVLinkの布石か? TSMCの光電融合技術「COUPE」がもたらすAIサーバーの光接続 -
第879回
PC
なぜAIには「光」が必要なのか? NVIDIAが解説するスケールアップネットワークの低遅延・省電力化戦略 -
第878回
PC
もはや銅配線は限界? 3200Gイーサネット実現に立ちはだかる200GT/秒の壁 - この連載の一覧へ











