PCI Express 4.0対応でリード5GB/sはもう古い

リード最大7GB/sの衝撃！待望のSamsung製Gen 4対応SSD「980 PRO」を速攻レビュー

現行の定番モデル「970 EVO Plus」とスペックを比較

今回検証に使った980 PROと970 EVO Plusの主要スペック
製品名	980 PRO	970 EVO Plus
容量	1TB
フォームファクター	M.2（Type 2280）
インターフェース	PCIe Gen 4.0×4、NVMe 1.3c	PCIe Gen 3.0×4、NVMe 1.3
コントローラー	Samsung Elpis Controller	Samsung Phoenix Controller
NANDフラッシュメモリー	第6世代Samsung V-NAND 3bit MLC（TLC）	第5世代Samsung V-NAND 3bit MLC（TLC）
DRAMキャッシュメモリー	1GB LPDDR4
シーケンシャルリード	7000MB/s	3500MB/s
シーケンシャルライト	5000MB/s	3300MB/s
4KBランダムリード（QD1）	22,000IOPS（Thread1）	19,000IOPS（Thread1）
4KBランダムライト（QD1）	60,000IOPS（Thread1）	60,000IOPS（Thread1）
4KBランダムリード（QD32）	1000,000IOPS（Thread16）	600,000IOPS（Thread4）
4KBランダムライト（QD32）	1000,000IOPS（Thread16）	550,000IOPS（Thread4）
総書き込み容量（TBW）	600TB
保証期間	5年間

　1TBモデルで970 EVO Plusと比較すると、980 PROはインターフェースのバージョンがGen 4にアップし、飛躍的にシーケンシャル速度が伸びている。4KBランダム速度もQD1/スレッド1の場合、リードが速くなっているがライトは据え置きだ。QD32の4KBランダム速度は超高速化されているように見えるが、これは公称値のスレッド数が4倍も違うので一概には比較できない。しかし、Samsungの資料によれば、スレッド16の場合、980 PROは970 EVO Plusに対し、QDが低い時は最大250％、QDが高い時で最大64％、リードが高速だという。また、ライトに関しても最大で82％速いと謳う。

980 PROと970 EVO Plusの4Kランダム性能比較。横軸がスレッド数で、縦軸が速度（単位はIOPS）

　そして、980 PROは100層以上のレイヤー構造を実現する最新の第6世代V-NANDを採用しており、970 EVO Plusに搭載している第5世代V-NAND（レイヤーは90層以上）よりも約40％多いセルを実装できるそうだ。通常、レイヤーが増すごとにエラーや読み取りレイテンシーの影響を受けやすくなるが、回路設計を最適化してこれを抑制。第5世代のV-NANDよりもNANDの性能自体が10％以上向上し、消費電力は15％以上削減している。

　一方で、この両者は本来価格帯が異なるセグメントに位置する。980 PROは「970 PRO」の後継のハイエンドラインで、970 EVO Plusはメインストリームだ。しかし、970 PROでは2bit記録のMLC NANDを採用していたが、980 PROでは3bit記録のTLC NANDに刷新し、想定実売価格も1TBモデルで2万5000円前後と、970 EVO Plus（1TBモデルの実売価格は2万4000円前後）にほど近くなっている。ゆえに、今回の比較対象は970 EVO Plusとしたのだ。

　ちなみに、970 PROの初出価格は2018年の5月当時で1TBモデルが8万円強だった。つまり、わずか2年でハイエンドラインがメインストリームの価格帯まで下がったことになる。比較対象として以前の同セグメントがふさわしくなくなるほどのスピードで進化しているSSD市場。GB単価は言わずもがなだが、そのコストパフォーマンスも日進月歩で伸びていると言っていい。

　なお、980 PROのラインアップと主なスペックは以下の通りだ。2TBモデルの速度や価格が不明な点をご了承いただきたいが、なるべく現時点で判明している情報は掲載しようと思う。

980 PROのラインアップと主要スペック
容量	250GB	500GB	1TB	2TB
フォームファクター	M.2（2280）
インターフェース	PCIe Gen 4.0×4、NVMe 1.3c
コントローラー	Samsung Elpis Controller
NANDフラッシュメモリー	第6世代Samsung V-NAND 3bit MLC（TLC）
DRAMキャッシュメモリー	512MB LPDDR4		1GB LPDDR4	2GB LPDDR4
シーケンシャルリード	6400MB/s	6900MB/s	7000MB/s	不明
シーケンシャルライト	2700MB/s	5000MB/s	5000MB/s	不明
4KBランダムリード（QD1/Thread1）	22,000IOPS			不明
4KBランダムライト（QD1v）	60,000IOPS			不明
4KBランダムリード（QD32/Thread16）	500,000IOPS	800,000IOPS	1000,000IOPS	不明
4KBランダムライト（QD32/Thread16）	600,000IOPS	1000,000IOPS		不明
MTBF	150万時間
総書き込み容量	150TB	300TB	600TB	1200TB
保証期間	5年間
想定実売価格	1万円前後	1万6000円前後	2万5000円前後	不明