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19nm製造技術の第2世代、メモリーセルサイズを19nm×19.5nmへ25%縮小

サンディスク、1Ynmプロセスフラッシュメモリーのサンプル出荷開始

2013年05月22日 20時15分更新

文● 柴谷理沙/ASCII.jp編集部

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サンディスクは21日、1Ynmプロセスフラッシュメモリーのサンプル出荷を開始した

 サンディスクは5月21日(米国現地時間)、1Ynmプロセス技術に基づくフラッシュメモリー製品の顧客向けサンプルの出荷を開始した。

 19nm製造技術の第2世代となる1Ynmプロセス技術によって、メモリーセルのサイズを19nm×26nmから、19nm×19.5nmへ25%の縮小に成功。

 同社独自のプログラミングアルゴリズムと、マルチレベルデータストレージ管理スキームを持つABL(オールビットライン)アーキテクチャにより、パフォーマンスや信頼性に妥協のないMLC(マルチレベルセル)NANDフラッシュメモリーチップの生産が可能になるという。

 さらに、第2世代19nm製造技術に同社の3ビット/セル(×3)テクノロジーを適用し、低コストのフラッシュソリューションを提供する。消費者や企業は、携帯電話、タブレット、クライアントやエンタープライズ向けSSD、コンシューマー製品などでこのチップを利用できるとしている。

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