19nm製造技術の第2世代、メモリーセルサイズを19nm×19.5nmへ25％縮小
サンディスク、1Ynmプロセスフラッシュメモリーのサンプル出荷開始
2013年05月22日 20時15分更新
サンディスクは21日、1Ynmプロセスフラッシュメモリーのサンプル出荷を開始した
サンディスクは5月21日（米国現地時間）、1Ynmプロセス技術に基づくフラッシュメモリー製品の顧客向けサンプルの出荷を開始した。
19nm製造技術の第2世代となる1Ynmプロセス技術によって、メモリーセルのサイズを19nm×26nmから、19nm×19.5nmへ25％の縮小に成功。
同社独自のプログラミングアルゴリズムと、マルチレベルデータストレージ管理スキームを持つABL（オールビットライン）アーキテクチャにより、パフォーマンスや信頼性に妥協のないMLC（マルチレベルセル）NANDフラッシュメモリーチップの生産が可能になるという。
さらに、第2世代19nm製造技術に同社の3ビット／セル（×3）テクノロジーを適用し、低コストのフラッシュソリューションを提供する。消費者や企業は、携帯電話、タブレット、クライアントやエンタープライズ向けSSD、コンシューマー製品などでこのチップを利用できるとしている。
