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富士通研究所、0.1μmプロセス用絶縁材料を開発

1999年03月30日 00時00分更新

文● 報道局 山本誠志

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 (株)富士通研究所は、低誘電率材料の分子設計によって、0.1μmプロセス用絶縁材料の合成に成功した。ナノメートルオーダーの空洞の形状を制御するための“Nanocavity”と呼ばれる技術を用いたもので、これによって絶縁膜の誘電率を下げ、動作周波数2GHzのLSIを実現する見とおしがついたとしている。

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