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不揮発かつ高速、次世代のSSDやフラッシュメモリー(メインメモリーすら)代替する可能性

高速性・耐久性は最大1000倍、革新的メモリー技術をインテルとマイクロンが発表

2015年07月29日 18時58分更新

文● 行正和義 編集/ASCII.jp

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XPointメモリーのダイ 

 インテルとマイクロンは7月28日、25年ぶりとなる不揮発メモリーの新技術「3D XPoint テクノロジー」を開発したと発表した。

 交差した配線の間にメモリーセルを縦に複数層配置する構造で、メモリーセルは不揮発型。このため高密度な実装が可能なうえ、書き込み/読み出しともに非常に高速となり、NANDメモリーよりも高速性・耐久性は最大で1000倍、従来型メモリーに比べ集積度は10倍以上となり、既存のあらゆる不揮発メモリーを超える性能を持つ。

XPoint技術。ワード線とビット線の交差部分にメモリー素子がレイアウトされる

 最初にリリースされるXPointメモリーはダイあたり128Gbit。将来的にはメモリー積層や微細化により大容量も予定しているという。サンプル出荷は今年の後半を予定しているほか、インテルおよびマイクロンではXPonitメモリー技術を用いた各種製品を開発中という。

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