Samsung「970 EVO Plus」に追加された2TBモデルを試す

　最速クラスのパフォーマンスを発揮する定番NVMe M.2 SSDのひとつとなるSamsung「970 EVO Plus」シリーズに、新たに容量2TBモデル「MZ-V7S2T0B/IT」が追加された。容量500GBや1TBモデルなどと同じく、「970 EVO」からのマイナーチェンジモデルで、読み書き性能が向上している。

　今回、ほかの容量から約4ヵ月遅れて登場となった970 EVO Plus 2TBモデル「MZ-V7S2T0B/IT」を試す機会を得られたので、前モデル「970 EVO」と比較しつつ、その性能をチェックしていこう。

Samsung 970 EVO Plus（MZ-V7S2T0B/IT）。PCI Express Gen.3 x4接続のNVMe M.2 SSD。5月末発売予定で予価は6万7000円

第5世代V-NAND採用の970 EVO Plus

　970 EVO Plusは、970 EVOの後継となるPCI Express Gen3 x4インターフェースを採用するハイパフォーマンスモデルで、コントローラーにSamsung「Phoenix」、NANDフラッシュメモリーにSamsung「V-NAND 3bit MLC」（3D TLC NAND）を採用している。

　基本の仕様は970 EVOと同じになるが、採用NANDフラッシュメモリーには第5世代V-NANDを採用している。970 EVOで採用している第4世代の64層からメモリーセルの積層数を高め、90層以上（正確な積層数は公表されていない）を実現し、読み出し、書き込み速度の向上をはかっている。

　2TBモデル「MZ-V7S2T0B/IT」は、シーケンシャルリード3500MB/秒、同ライト3300MB/秒で、NANDフラッシュメモリーの一部を擬似的にSLCとして扱い書き込みキャッシュに利用、書き込み速度の向上を図る「Intelligent TurboWrite」として最大で78GB（デフォルト容量6GB、可変容量72GB）使用。TurboWriteを超える容量の書き込み速度は、1750MB/秒になっている。

Samsung SSD 970 EVO Plusのスペック
容量	250GB	500GB	1TB	2TB
型番	MZ-V7S250B/IT	MZ-V7S500B/IT	MZ-V7S1T0B/IT	MZ-V7S2T0B/IT
フォームファクター	M.2 2280
NAND	Samsung V-NAND 3bit MLC
コントローラー	Samsung Phoenix Controller
キャッシュメモリー	512MB LPDDR4		1GB LPDDR4	2GB LPDDR4
インターフェース	NVMe PCIe x4
シーケンシャルリード	3500MB/秒
シーケンシャルライト	2300MB/秒	3200MB/秒	3300MB/秒
ランダムリード（QD1）	1万7000IOPS	1万9000IOPS
ランダムライト（QD1）	6万IOPS			6万2000IOPS
ランダムリード（QD32）	25万IOPS	48万IOPS	60万IOPS	62万IOPS
ランダムライト（QD32）	55万IOPS			56万IOPS
MTBF（平均故障間隔）	150万時間
TBW（書き換え可能容量）	150TB	300TB	600TB	1200TB
製品保証	5年間

Intelligent TurboWriteの容量と、書き込み性能への影響
970 EVO Plus	250GB（MZ-V7S250B/IT）	500GB（MZ-V7S500B/IT）	1TB（MZ-V7S1T0B/IT）	2TB（MZ-V7S2T0B/IT）
標準キャッシュ容量	4GB	4GB	6GB	6GB
可変キャッシュ容量	9GB	18GB	36GB	72GB
最大キャッシュ容量	13GB	22GB	42GB	78GB
キャッシュ内シーケンシャルライト	2300MB/秒	3200MB/秒	3300MB/秒	3300MB/秒
キャッシュ外シーケンシャルライト	400MB/秒	900MB/秒	1700MB/秒	1750MB/秒

容量2TBモデルのMZ-V7S2T0B/IT。従来モデルと同じく、表面にコントローラー、NANDフラッシュメモリー、キャッシュを搭載

裏面には各種規格のロゴが入ったシールが貼られている

前モデルと同じく、裏面シールの下には、放熱性を高める銅箔層が採用されている（※写真は前モデルのもの）