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Samsung「970 EVO Plus」に追加された2TBモデルを試す

文●藤田忠 編集●北村/ASCII編集部

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 最速クラスのパフォーマンスを発揮する定番NVMe M.2 SSDのひとつとなるSamsung「970 EVO Plus」シリーズに、新たに容量2TBモデル「MZ-V7S2T0B/IT」が追加された。容量500GBや1TBモデルなどと同じく、「970 EVO」からのマイナーチェンジモデルで、読み書き性能が向上している。

 今回、ほかの容量から約4ヵ月遅れて登場となった970 EVO Plus 2TBモデル「MZ-V7S2T0B/IT」を試す機会を得られたので、前モデル「970 EVO」と比較しつつ、その性能をチェックしていこう。

Samsung 970 EVO Plus(MZ-V7S2T0B/IT)。PCI Express Gen.3 x4接続のNVMe M.2 SSD。5月末発売予定で予価は6万7000円

第5世代V-NAND採用の970 EVO Plus

 970 EVO Plusは、970 EVOの後継となるPCI Express Gen3 x4インターフェースを採用するハイパフォーマンスモデルで、コントローラーにSamsung「Phoenix」、NANDフラッシュメモリーにSamsung「V-NAND 3bit MLC」(3D TLC NAND)を採用している。

 基本の仕様は970 EVOと同じになるが、採用NANDフラッシュメモリーには第5世代V-NANDを採用している。970 EVOで採用している第4世代の64層からメモリーセルの積層数を高め、90層以上(正確な積層数は公表されていない)を実現し、読み出し、書き込み速度の向上をはかっている。

 2TBモデル「MZ-V7S2T0B/IT」は、シーケンシャルリード3500MB/秒、同ライト3300MB/秒で、NANDフラッシュメモリーの一部を擬似的にSLCとして扱い書き込みキャッシュに利用、書き込み速度の向上を図る「Intelligent TurboWrite」として最大で78GB(デフォルト容量6GB、可変容量72GB)使用。TurboWriteを超える容量の書き込み速度は、1750MB/秒になっている。

Samsung SSD 970 EVO Plusのスペック
容量 250GB 500GB 1TB 2TB
型番 MZ-V7S250B/IT MZ-V7S500B/IT MZ-V7S1T0B/IT MZ-V7S2T0B/IT
フォームファクター M.2 2280
NAND Samsung V-NAND 3bit MLC
コントローラー Samsung Phoenix Controller
キャッシュメモリー 512MB LPDDR4 1GB LPDDR4 2GB LPDDR4
インターフェース NVMe PCIe x4
シーケンシャルリード 3500MB/秒
シーケンシャルライト 2300MB/秒 3200MB/秒 3300MB/秒
ランダムリード(QD1) 1万7000IOPS 1万9000IOPS
ランダムライト(QD1) 6万IOPS 6万2000IOPS
ランダムリード(QD32) 25万IOPS 48万IOPS 60万IOPS 62万IOPS
ランダムライト(QD32) 55万IOPS 56万IOPS
MTBF(平均故障間隔) 150万時間
TBW(書き換え可能容量) 150TB 300TB 600TB 1200TB
製品保証 5年間
Intelligent TurboWriteの容量と、書き込み性能への影響
970 EVO Plus 250GB(MZ-V7S250B/IT) 500GB(MZ-V7S500B/IT) 1TB(MZ-V7S1T0B/IT) 2TB(MZ-V7S2T0B/IT)
標準キャッシュ容量 4GB 4GB 6GB 6GB
可変キャッシュ容量 9GB 18GB 36GB 72GB
最大キャッシュ容量 13GB 22GB 42GB 78GB
キャッシュ内シーケンシャルライト 2300MB/秒 3200MB/秒 3300MB/秒 3300MB/秒
キャッシュ外シーケンシャルライト 400MB/秒 900MB/秒 1700MB/秒 1750MB/秒

容量2TBモデルのMZ-V7S2T0B/IT。従来モデルと同じく、表面にコントローラー、NANDフラッシュメモリー、キャッシュを搭載

裏面には各種規格のロゴが入ったシールが貼られている

前モデルと同じく、裏面シールの下には、放熱性を高める銅箔層が採用されている(※写真は前モデルのもの)

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