サムスンが3200MB/secの超高速次世代M.2 SSDを展示

2016年03月03日 16時00分更新

文● 平澤寿康　編集●北村／ASCII.jp

　日本サムスンは、2月18日に都内ホテルで「2016 Samsung SSD Forum Japan」と題したセミナーを開催した。

2月18日に開催された「2016 Samsung SSD Forum Japan」

サムスンのSSD関連技術を説明する、韓国サムスン電子のJung-Bae Lee氏

　このセミナーは、国内のIT関連企業関係者などを招き、企業でのSSD導入事例やメリットを紹介するとともに、サムスンのSSD関連技術を紹介するために行なわれたものだ。

　当日は、富士通やさくらインターネット、TKCといった国内企業・団体の代表者が登壇し、それぞれのSSD導入事例などを解説。また、韓国サムスン電子はSSDのトレンドやサムスン電子が誇るNANDフラッシュメモリーや、企業向けやOEM製品を中心としたSSD製品を紹介した。

　セミナーの内容自体は、SSDの導入・活用事例として比較的一般的なものが中心だった。また、サムスン電子のSSD関連技術の解説も、既に発表済みのものが中心で、特に新しい発表はなかったため、セミナーの内容自体は本誌読者が興味のあるようなトピックは少なかった。

　ただ、セミナー会場に展示されていたSSD製品の中に、本邦初展示となった非常に興味深い製品がいくつかあったので、それらを紹介していこう。

第3世代の3次元NAND「V-NAND」は、2015年に量産を開始。その先についての発表はなかった

2次元（Planar）NANDもブレークスルーを実現し、さらに進化させていくという

SSDのOEM製品を紹介。PC向けからサーバ、データセンター用途など、様々なラインナップの製品を供給していると説明

シーケンシャルリード最大3200MB/Secの超高速M.2 SSD

NVMe M.2 SSDの展示コーナーに、新製品を2製品展示

　サムスンは、昨年に一般ユーザー向けSSD製品として初となる、PCIe Gen3 x4対応のNVMe M.2 SSD「950 PRO」を発売したが、早くもその次世代となるSSDが展示された。それがOEM向けの製品となる「SM961」だ。

OEM向けNVMe M.2 SSD新モデル「SM961」。MLCタイプの第3世代V-NAND、新コントローラーの採用などにより、PCIe Gen3 x4の上限に迫る速度を実現

第3世代V-NAND採用により、片面実装で1TBを実現。両面実装では2TBも可能とのこと

　形状はM.2で、PCI Express Gen3 x4、NVMe対応となる点は950 PRO同様だが、新たに第3世代となる最新のV-NAND（MLCタイプ）を採用するとともに、プロセッサーコアを5個内蔵する新コントローラー「Polaris Controller」を採用することで、シーケンシャル速度はリード最大3200MB/Sec、ライト最大1800MB/Secと、950 PROをさらに大きく上回るアクセス速度を実現。

　また、Polaris Controllerではファームウェアのアーキテクチャーも従来から変更し、ランダムアクセス速度の向上に特に注力したとのことで、4Kランダムアクセス速度は、リード最大45万IOPS、ライト最大40万IOPSに達する。

　Polaris Controllerのプロセッサーコアは、1つがI/Oインターフェース側のコントロールを行ない、残り4つのコアで、8チャンネルのリードとライトの処理をするという。

　つまり、8チャネル並列でのリード/ライトのコントロールができるようになっている。加えて、第4世代V-NANDの採用による速度の向上も合わせて、従来よりも大幅な速度向上を実現しているとのこと。

　なお、この世代では早くもPCIe Gen3 x4の速度上限に到達してしまいそうだという。そのため説明員は「早く次のインターフェースになってくれないと……」とこぼしていた。

　SM961は、容量128GB、256GB、512GB、1TBをラインナップ。NANDフラッシュメモリーチップは基板片面実装のため、両面使えば2TBの容量も実現できる。

　また、NANDフラッシュメモリーとしてTLCタイプの第4世代V-NANDを採用する「PM961」も用意される。コントローラーはSM961同様Polaris Controllerを採用。アクセス速度はSM961よりやや遅くなるが、それでもシーケンシャル速度はリード最大3000MB/Sec、ライト最大1150MB/Sec、4Kランダム速度はリード最大36万IOPS、ライト最大28万IOPSを実現している。