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遅れてやってきたPCIe5.0 SSDの大本命、リード14GB/秒超えのSamsung「9100 PRO」を実機レビュー

2025年03月24日 14時00分更新

文●藤田忠　編集●北村／ASCII

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　Samsungから、ついにPCIe5.0×4インターフェースに対応するNVMe M.2 SSDとなる「9100 PRO」シリーズが発表されたが、このたび、国内での販売時期と価格がITGマーケティングから発表された。

　これまでPCIe5.0×2をサポートした「990 EVO」ならびに「990 EVO Plus」シリーズを投入しているが、メインの接続はPCI 4.0×4で、最大転送速度も高速ではあるものの、一般的とも言える7250MB/秒(990 EVO Plus)だった。

　そんなSamsungが満を持して投入したのが、PCIe5.0×4インターフェースのパフォーマンスを最大限に引き出した最大読み出し速度1万4800MB/秒、最大書き込み速度1万3400MB/秒を発揮するハイエンドNVMe M.2 SSDの「9100 PRO」シリーズなのだ。

Samsung初のPCIe5.0×4に対応した「9100 PRO」。PlayStation 5のSSD要件を満たしたヒートシンクを装着した「9100 PRO with Heatsink」も用意する

　ランダム読み出しと書き込み速度も、PCIe4.0×4接続のハイエンドモデルとなる「990 PRO」から、2200K/2600K IOPSにアップしているうえ、消費電力は数ワット上昇しているが、電源効率は49％の向上を実現している。各社のノートパソコンなど向けに組み込みモデルの提供なども行なっているSamsungだけに「9100 PRO」シリーズは、10GB/秒超えの圧倒的転送速度を発揮しながら、最大2.5W（4TB比較）の消費電力アップに留め、PCIe5.0 SSD運用時の懸念だった発熱を抑えられたことでの、製品投入と見ることができる。

　ラインアップはヒートシンク非装着の「9100 PRO」と装着モデルの「9100 PRO ヒートシンクモデル」を用意し、容量は1TB、2TB、4TB、8TB（2025年後半発売予定）の4モデルになる。主な仕様は以下の通りだ。

SSD 9100 PROのラインアップと主要スペック
容量	1TB	2TB	4TB
型番	MZ-VAP1T0B-IT MZ-VAP1T0B-IT/EC	MZ-VAP2T0B-IT MZ-VAP2T0B-IT/EC	MZ-VAP4T0B-IT MZ-VAP4T0B-IT/EC
インターフェース	PCIe Gen 5.0 x4、NVMe 2.0
フォームファクター	M.2 2280
コントローラー	Samsung 自社製コントローラー
NAND フラッシュ	Samsung V-NAND TLC
DRAMキャッシュ	1GB LPDDR4X	2GB LPDDR4X	4GB LPDDR4X
連続読み込み（最大）	1万4700MB/秒	1万4700MB/秒	1万4800MB/秒
連続書き込み（最大）	1万3300MB/秒	1万3400MB/秒	1万3400MB/秒
ランダム読み込み（最大）	1850K IOPS	1850K IOPS	2200K IOPS
ランダム書き込み（最大）	2600K IOPS	2600K IOPS	2600K IOPS
消費電力読み出し時	7.6 W	8.1 W	9.0 W
消費電力書き込み時	7.2 W	7.9 W	8.2 W
TBW	600TB	1200TB	2400TB
保証期間	5年限定保証

4TBモデルも片面実装で実現

　ここでは容量4TBの「MZ-VAP4T0B-IT」とヒートシンクモデルの「MZ-VAP4T0C-IT」を触る機会を得られたので、まずはその外観を眺めていこう。

　「9100 PRO」は、「990 PRO」などと同じく、Samsung独自のコントローラーとV-NAND TLCで構成され、LPDDR4X仕様のDRAMキャッシュも搭載している。V-NAND TLCは最新世代で、容量4TBでも2チップの片面実装を実現している。消費電力や発熱だけでなく、これにより内部のスペースが限られるノートパソコンへの組み込みが、より現実味を帯びてくるだろう。