インテル(株)は20日、90nmプロセス技術を利用したNOR型フラッシュメモリー“インテル ワイヤレス・フラッシュ・メモリ”を発表した。最初の製品は、1bit/セルの構成で容量が64Mbitの『640W18』。サンプル出荷は4月の予定で、第3四半期に量産出荷を予定。価格は、1万個受注時の単価で、1130円。
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| “インテル ワイヤレス・フラッシュ・メモリ” |
“インテル ワイヤレス・フラッシュ・メモリ”は、同社のフラッシュメモリーとしては9世代目となり、携帯電話機などの携帯機器向けの製品。90nmプロセス技術で製造することにより、チップサイズが従来の0.13μm(130nm)プロセス技術で製造されたフラッシュメモリーの約半分となる。動作電圧は1.8V。フラッシュメモリーからのコードの直接実行や、製造現場でフラッシュメモリーに高速書き込みが可能な“エンハンスド・ファクトリ・プログラミング”、コードとデータを1チップに格納可能といった特徴を持つ。パッケージには、スタックド・チップ・スケール・パッケージ(スタックドCSP)を採用し、サイズは幅8×奥行き11mm。フラッシュメモリーとRAMを組み合わせ、最大1Gbitまで対応。
同社では、今年後半には、1個のセルに2bitのデータを格納できる多値セル技術を採用した“Intel StrataFlash”メモリーのサンプル出荷を開始する予定。512MbitのスタックドCSPで提供するとしている。
