エルピーダメモリ(株)は17日、次世代DRAM仕様“DDR-II”でピンあたりのデータレートを1Gbpsにする回路技術を開発したと発表した。
 | 開発した回路を搭載したDDR-II SDRAM |
|---|
開発した回路方式は、現在使用されているSDRAM仕様の7.5倍、DDR SDRAM仕様の3.75倍の高速化を図ったもので、1.8Vの単一電源で動作する。プロセス/電圧/温度変動によるデータ出力のタイミングのバラツキを最小に抑えるため、1.6V以下で動作するDDL(Delay Locked Loop)を利用した高精度低消費電力クロック再生回路と、データ出力の出力波形の傾き(スルーレート)を変えずに駆動能力を調整可能な出力バッファー回路の2つ。これにより出力タイミングのバラツキ(スキュー)を10ps以下に抑え、1Gbpsに対応。また、チップ内のデータを高速で読み書きするため、メモリーアレイ内のデータ信号線を階層化し、階層間の転送をタイミングレスにしたほか、メモリーアレイから入出力回路間のデータ転送回路や配線に、高速/通常の2種類を設け、データの転送順序に応じて使い分けるようにしたという。これによりデータ転送サイクル時間を45％短縮し、4nsサイクルでアレイ動作が可能になったとしている。
同社では、512Mbitの容量を持つ“DDR-II SDRAM(次世代DDR)”に搭載して確認したという。これにより次世代ハイエンドサーバーやパソコンで必要なメモリーシステムボード上でのデータ転送レートである533Mbpsを保証するDDR-IIの製品化が可能になるとしており、次々世代の“DDR-III”で要求されている転送レートの見通しも得られたとしている。
本記事はアフィリエイトプログラムによる収益を得ている場合があります
