シャープ(株)と台湾のWinbond Electronics(ウインボンド・エレクトロニクス)社は8日、次世代フラッシュメモリー技術の共同開発について同日付けで合意に達したと発表した。これは、シャープが独自開発したメモリーセルの面積を従来の半分に縮小できるメモリーセル技術“ACT1”を基に、0.18μmおよび0.13μmプロセスのフラッシュメモリー技術を開発するもの。ウインボンドが共同開発した製品の製造と供給を行ない、両社がそれぞれのブランドで販売するとしている。最初の製品は、0.13μmプロセスを利用した128Mbitまたは256Mbitのフラッシュメモリーで、2004年第1四半期の提供を予定しているという。
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