ヌヴォトンジャパン　先端半導体パッケージ向けマスクレス露光用光源のラインナップを拡充

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社
紫色 (402nm) 半導体レーザで業界最高クラスの光出力4.5Wを実現（当社比1.5倍）




ヌヴォトン テクノロジー（以下、当社）は、直径9.0mmのCANパッケージ (TO-9) [1]において、業界最高クラス (*1) の光出力を実現した「高出力4.5W 紫色 (402nm) 半導体レーザ[2]」の量産を開始します。本製品は、当社独自のデバイス構造および放熱設計技術により、従来製品比 (*2) で光出力1.5倍を達成し、マスクレス露光装置[3]などの光学装置における生産スループット向上に貢献します。さらに、本製品のラインナップ追加により、先端半導体パッケージ[4]に用いられる複数の主要感光材料[5]に対して、当社製品群で対応可能になります。

(*1) 2026年4月15日現在当社調べ　波長402nmで連続発振 (CW) 、ケース温度 (Tc) 25℃条件下、TO-9 CANパッケージ半導体レーザにおいて
(*2) 当社従来製品 KLC432FL01WW (402nm, 3.0W, TO-9 CANパッケージ)

【本製品による効果】
1.紫色 (402nm) 帯で当社従来製品比1.5倍の高出力4.5Wを実現し、マスクレス露光装置など光学装置の生産スループット向上に貢献
2.先端半導体パッケージ向けマスクレス露光用光源のラインナップを拡充し、複数の主要感光材料に対応
3.水銀灯代替ソリューション[6] のラインナップを拡充し、光源選定における新たな選択肢を提供

　　商品の詳細はこちら

【当社新製品の特長】

1. 紫色 (402nm) 帯で当社従来製品比1.5倍の高出力4.5Wを実現し、マスクレス露光装置など光学装置の生産スループット向上に貢献

紫色 (402nm) 半導体レーザは、光電力変換効率[7]が比較的低く自己発熱が大きいことに加え、短波長光に起因する素子劣化が生じやすいため、高出力領域での安定動作が困難でした。そこで当社は、2026年1月に新製品発表を行った「高出力1.0W 紫外 (379nm) 半導体レーザ[8]」に導入した、「光電力変換効率を高めるデバイス構造」と「熱を効率よく逃がす高放熱パッケージ技術」を、紫色 (402nm) 帯にも展開しました。特に、レーザ端面の劣化要因を抑制する独自の保護膜技術を適用することで、高出力動作時における寿命性能を向上させるとともに、パッケージには高放熱材料を用いた一体成型構造を採用することで、放熱性を向上させています。その結果、当社従来製品比で光出力1.5倍の「高出力」と「高信頼性」を両立した「高出力4.5W 紫色 (402nm) 半導体レーザ」の開発に成功しました。本製品により、高い品質が求められる産業用途の光学装置において、生産スループットの向上に貢献します。


図1：「光電力変換効率を高めるデバイス構造」と「熱を効率よく逃がす高放熱パッケージ技術」

2. 先端半導体パッケージ向けマスクレス露光用光源のラインナップを拡充し、複数の主要感光材料に対応

本製品は、AI（人工知能）などの需要拡大を背景に市場が急速に成長する先端半導体パッケージ分野におけるマスクレス露光技術にて、大きな価値を発揮します。先端半導体パッケージの回路形成において、設計データに基づいて直接回路を描画するマスクレス露光技術は、コスト低減や開発期間短縮に加え、基板の反りや歪みに応じた高精度な描画補正が可能であることから、近年注目を集めています。このマスクレス露光技術における主要光源の一つである半導体レーザには、主たる感光材料に対応するために、水銀灯の発光輝線であるi 線 (365nm) およびh線 (405nm) に近い波長への対応に加え、設備の生産スループット向上を目的とした高出力化が求められてきました。このたび当社は、2026年1月に新製品発表を行ったi線対応の「高出力1.0W 紫外 (379nm) 半導体レーザ」に加え、h線対応として本製品を先端半導体パッケージ向けマスクレス露光用光源に追加いたします。これにより、複数の主要感光材料に対応し、設備の生産スループット向上にも貢献する光源を当社で一貫して提供可能となります。

表1：先端半導体パッケージ向けマスクレス露光における主な感光材料と当社提案製品

3. 水銀灯代替ソリューションのラインナップを拡充し、光源選定における新たな選択肢を提供

本製品は、当社が展開する「半導体レーザによる水銀灯代替ソリューション」のラインナップに新たに加わります。水銀灯の輝線である h 線 (405nm) は、光硬化や 3D プリンティング、センシング、バイオメディカル、マーキングなど、幅広い分野で利用されており、本製品はこれら用途に対する代替光源として、お客様に新たな選択肢を提供します。さらに、本製品の特長である高出力性能を活かすことで、従来は実現が難しかったプロセスの高効率化や、新たな光アプリケーションの創出にも貢献します。

図2：当社が展開する「半導体レーザによる水銀灯代替ソリューション」


本製品は、日本・横浜で開催される「OPIE’26」の当社ブースにて展示予定です。

【用 途】
・ マスクレス露光
・ 樹脂硬化
・ センシング
・ マーキング
・ 3Dプリンティング
・ バイオメディカル
・ 水銀灯の代替光源
など

【対象品番】
KLC434FL01WW

【仕 様】　
新製品（紫色半導体レーザ）




【量産開始】
2026年5月（予定）

【お問い合せ先】
ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社

　　　　デジタルマーケティング部　PR・コミュニケーション課
　　　　[e-mail]

【用語説明】
[1] TO-9 CAN
直径9.0mmのCAN型パッケージ
[2] 紫色半導体レーザ
ピーク波長が、おおよそ402nm付近のレーザ光を発する半導体レーザの当社呼称
[3] マスクレス露光
フォトマスクを使用せずに、設計データに基づいて基板上の感光材料を直接露光し、微細パターンを形成する技術。レーザ光を用いる場合は、レーザダイレクトイメージング (LDI) とも呼ばれる
[4] 先端半導体パッケージ
複数の半導体チップを高密度に集積し、性能・電力効率を最適化する実装技術
[5] 感光材料
露光工程で用いられる、光照射によって性質が変化する材料の総称。主に基板上に塗布されるフォトレジスト（レジスト）を指し、露光・現像工程を通じて微細パターンを形成する。光源の波長に応じて感度が最適化された材料が使用される
[6] 水銀灯代替ソリューション
水銀灯の発光輝線であるi線 (365nm) 、h線 (405nm) 、g線 (436nm) を代替する当社半導体ラインナップの呼称。紫外半導体レーザ (378/379nm) や紫色半導体レーザ (402nm) 、インディゴ半導体レーザ (420nm) を組み合わせた使用を提案
[7] 光電力変換効率
電気入力に対する光出力変換効率を示す指標で、一般的に半導体レーザの発光効率を示す。ウォールプラグ効率 (Wall-Plug Efficiency: WPE) とも呼ばれる
[8] 紫外半導体レーザ
ピーク波長が、おおよそ380nm以下のレーザ光を発する半導体レーザの当社呼称。
2026年１月にプレスリリースを実施した「高出力1.0W 紫外 (379nm) 半導体レーザ」の
詳細はこちら　https://nuvoton.co.jp/press/260116_UVLaser/


【関連情報】
-- OPIE (OPTICS & PHOTONICS International Exhibition) について --
2026年4月22日（水）～24日（金）に、パシフィコ横浜にて開催される、光技術とフォトニクス分野の日本最大級の専門展示会。産業・学術・研究間での交流が活発に行なわれます。
OPIE’26のWEBページはこちら
ヌヴォトンテクノロジー OPIE’26 出展社情報

【ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社 について】
ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社 (Nuvoton Technology Corporation Japan, 略称：NTCJ) は、2020年にNuvoton Groupに加わりました。NTCJは、世界的な半導体専門メーカーとして、設立以来60年超にわたって培われてきた技術とさまざまな製品、およびそれらを最適に組み合わせたソリューションを提供しています。 お客様やパートナーとの関係を大切にし、期待以上の付加価値を提供することで、社会、産業、人々の生活のさまざまな問題を解決するグローバルソリューション企業として活動しています。 詳細については、当社ホームページをご参照ください。