(株)日立製作所は10日、動作クロック周波数が750MHzで、容量が144Mbitの“キャッシュDRAM LSI”を開発したと発表した。これは高速アクセスが可能だが集積度を上げるのが難しいSRAMの代わりに、ゲート長0.18μmのDRAM混載プロセスを採用し、大容量DRAMとCMOS論理回路を同一チップ上に混載することで動作周波数を上げ、容量を増やしたもの。同社では次世代の高性能サーバー用に開発したという。
 | 動作クロック周波数750MHz、容量144Mbitの“キャッシュDRAM LSI” |
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“キャッシュDRAM LSI”は、DRAM部のランダムアクセスタイムが8.0ns、シーケンシャルアクセスタイムが5.3ns、内部のピーク転送速度が毎秒48GBとハイエンドプロセッサーに対応できるのが特徴。LSIの不良をチェックするための新開発のテストエンジン(高速テストパターン発生回路/判定回路)を内蔵し、自己テストが行なえるため、高速大容量メモリーのテスト効率が向上したという。テストパターンの発生回路には、2種類のマイクロプログラム(テストシーケンスを記述するための“マイクロコード”、テストパターンのタイミングを制御する“ナノコード”)による制御方式を採用したとしている。
