ブロードコム社とメモリおよびファウンドリ技術分野で戦略的協業を拡大

Samsung
次世代AIインフラを支える最先端メモリ、ファウンドリ技術、先端パッケージングの協業拡大で覚書を締結

　サムスン電子株式会社（韓国本社、以下Samsung）とブロードコム社は2026年8月25日、次世代AIインフラを支えるメモリおよびファウンドリ技術分野において、戦略的協業を拡大する覚書を締結しました。


　本覚書はサンフランシスコのThe Midwayで開催された「AIサミット」の場で発表されました。同イベントには、サムスン電子 社長 兼 ファウンドリ事業部長のJinman Han、ブロードコム社 社長 兼 CEOのHock Tan氏をはじめ、両社の経営幹部や韓国政府関係者が出席しました。


　両社は、2030年までの今後5年間で、メモリおよびファウンドリ両分野の協業規模が2,000億ドルを超えると見込んでいます。


　メモリ分野では、ブロードコム社の次世代の半導体チップであるAIアクセラレータ向けに、高帯域幅メモリ(HBM)をはじめとする業界最高水準のメモリソリューションを供給すべく、両社で戦略的な協業を進める計画です。


　ファウンドリ分野では、無線ブロードバンド通信(WBC)ソリューションをはじめとするブロードコム製品を対象に、Samsungの2ナノメートル(nm)以下の最先端プロセス技術を軸に協業を進めます。さらに、より高性能かつ低消費電力なAI・ネットワーキング向け半導体の実現に向け、Samsungの2nmプロセスを基盤とした2.3D・2.5D統合をはじめとする先端パッケージング技術にも協業範囲を広げていく方針です。


　サムスン電子 副会長 兼 DS（Device Solutions）部門CEO Young Hyun Junは、次のように述べています。「AIの進化はメモリ、ロジック、先端パッケージングを横断する高度な半導体統合技術に対し、かつてない規模の需要を生み出しています。こうした重要な領域におけるブロードコム社との協業を拡大することで、お客様により大きな価値を提供するとともに、未来のAIインフラの発展に貢献していきたいと考えています。」


　ブロードコム半導体ソリューショングループ社長のCharlie Kawwas氏は「AIインフラの拡大が続く中、半導体エコシステム全体における緊密な協業の重要性がますます高まっています。Samsungが持つメモリ・ファウンドリ分野の強みと、ブロードコムのAI・接続技術におけるリーダーシップを組み合わせることで、次世代AIインフラを支える技術を今後も提供していきます。」と述べました。


　メモリ、ロジック、ファウンドリ、先端パッケージングを網羅した技術力を有するSamsungはAI時代に向けた統合型半導体ソリューションを提供できる独自の立場です。今回のブロードコム社との協業拡大は多様化するAI・高性能コンピューティング分野の用途が多様化する中、設計から製造までを一貫して支えるエンドツーエンドの半導体技術を通じてお客様をサポートするというSamsungの姿勢を示すものです。


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