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東芝、64MbitのNOR型フラッシュメモリーと8MbitのSRAM搭載のスタック型MCPを発表

2000年03月13日 00時00分更新

文● 編集部 伊藤咲子

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(株)東芝は9日、『TH50VSF3680AASB』と『TC50VSF3681AASB』を発表した。これらは、0.22μmプロセスの8MbitSRAMと、0.2μmプロセスの64Mbit NOR型フラッシュメモリーを搭載する、業界初というスタック型マルチチップパッケージ(MCP)。携帯電話など小型携帯端末に搭載することを想定し、縦9×横12mmという小型BGA*パッケージを採用している。『TH50VSF3680AASB』ブートブロックはトップアドレス、『TC50VSF3681AASB』はボトムアドレス。3月末にサンプル出荷が開始され、サンプル価格は1万円。4月より数万個、第3四半期より30万個以上のレベルで量産出荷の予定。

『TH50VSF3680AASB』
『TH50VSF3680AASB』



*Ball Grid Array:PGA(Pin Grid Array)のピン部分をボール状の半田にしたもの

そのほか同社は、以下の製品の商品化を発表した。
・TSOP(Thin Small Out-line Package)タイプのパッケージを採用した8Mbit SRAM(単体)。3月末より販売し、サンプル価格は4000円。4月より数万個、第3四半期より50万個以上のレベルで量産出荷の予定。

・4Mbitまたは8Mbit SRAMと32Mbit NOR型フラッシュメモリーを組み合わせたスタック型MCP。4月より販売する予定

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