3D積層技術Foverosの構造はInFOに酷似
次がFoverosだ。現時点もでインテルはFoverosの詳細を公開していないため、正確なところは藪の中のままであるのだが、基本的にはTSMCのInFOにかなり近いものと思われる。InFOの構造は連載618回で紹介したが、要するに積層するチップの底面にインターポーザー(TSMCはRDL:Re-Distribution Layerと称している)を挟み、このインターポーザー同士をViaで接続するという仕組みである。
この仕組みなら、3層以上の積層もそう難しくない。実際Lakefieldの場合、DRAM、Compute Tile、Base Tile(PCH)という3層構造になっている。
この説明の図版ではあたかもCompute TileとBase Tileが直接つながっているように見えるが、実際には下図のような構成だとすれば無理なく積層可能なのは納得である。
さてこのFoverosは現時点ではまだ第1世代であるが、間もなく第2世代のFoverosが投入されるとともに、新たにFoveros Omni/Foveros Directと呼ばれる技術が発表された。
まず第2世代Foverosだが、Bump Pitchを36μmまで縮めるとともに最大125Wまでの熱環境に対応できる、とされた。
ちなみにEMIBとの併用も可能で、それもあってPonte VecchioはHBM2eはEMIB経由だが、それ以外のコンポーネントは第2世代Foverosを利用して構築される、としている。
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