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書き込み速度の高速化や書き換え寿命などの信頼性向上を実現

世界初、東芝が48層積層プロセスの3次元フラッシュメモリー「BiCS」を開発

2015年03月26日 13時34分更新

文● 八尋/ASCII.jp

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48層積層プロセスの3次元フラッシュメモリ「BiCS」を開発

 東芝は3月26日、世界初という48層積層プロセスを採用した128ギガビット(16GB)の2ビット/セル(MLC)3次元フラッシュメモリー「BiCS」を開発、サンプル出荷を開始した。

 BiCSは、従来のシリコン平面上にフラッシュメモリー素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリー素子を積み上げ、素子密度を向上した構造になっている。48層積層プロセスを用いることで、従来製品と比較して書き込み速度の高速化や書き換え寿命などの信頼性向上を実現したという。2016年前半に竣工予定の四日市工場新・第2製造棟で生産を実施する予定だ。

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