富士通(株)は、新開発の0.5μm加工技術を採用し、64Kbitの不揮発性強誘電体RAM(FRAM)を作製したと発表した。同社によるとこれは世界最小。
また同技術を応用した、0.5μmFRAMデバイスプロセス技術も完成させ、既存の0.5μmCMOSロジックの設計ルールを変更せずに、容易にかつ低コストでFRAMとCMOS型マイコンを混載できるとしている。同社は米Ramtron
International社と共同で、実際に微細FRAMと8bitマイコン『F2MC-8L』のほかに、8KBのROM、1KBのSRAMを搭載したLSIチップの試作に成功したことも発表した。両社で混載チップの開発をさらに進め、'98年中には出荷する予定。
米Ramtron International社が登録商標を持つFRAMには、不揮発性である、書き換え回数が多くかつ高速、消費電力が低いなどの特徴がある。富士通はライセンス契約を結び、昨年からFRAMの開発を行なっていた。(報道局 浅野広明)
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