エルピーダメモリ(株)は22日、最大800Mbps動作に対応したハイエンドパソコン向けの256Mbit DDR2 SDRAMとして、100nm CMOSプロセスを採用した“EDE2508/EDE2516”シリーズを製品化すると発表した。8Mワード×8ビット×4バンクの『EDE2508ABSE-GE-E』と、4Mワード×16ビット×4バンクの『EDE2516ABSE-GE-E』の2製品をラインアップし、5月に量産出荷を開始する。
『EDE2508ABSE-GE-E』 |
“EDE2508/EDE2516”の電源電圧(VDD)は1.85V±0.1Vで、クロック周波数は400MHz。パッケージFBGAで、8ビットI/O品が60ボール、16ビットI/O品が84ボール。
同社では、同製品を採用することにより、モジュール1枚で毎秒6.4GBのデータ転送速度が実現できるとしている。