2019年は10nm、2020年は10+、2021年は10++
さらに2021年には7nmも立ち上がる
さて、ここからが今後の話である。今年は10nmであるが、2020年は10+、2021年は10++、14nmと同じようにプロセスの改善を施していくことがまず明らかにされた。
もともと10nmがスケジュール優先、つまりPPA(Power/Performance/Area=Cost)の最適化をそこそこにして、それよりも確実に出荷できることを優先したと思われるので、当然まだPPAの最適化の余地が残されている。これを2年かけて実施する予定と思われる。
その2021年には7nmが立ち上がる。こちらも7nmに加えて7+/7++という2つの中間ノードが予定されていることが今回明らかにされた。こちらはEUV(極端紫外線)を使う最初のプロセスであり、トランジスタ密度は10nmの2倍になるとされる。この世代ではまた、高密度実装技術のEMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)とFoverosの新バージョンも投入されるとしているが、この詳細は不明だ。
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