韓国サムスン・エレクトロニクスは、18日にソウル市内のホテルで発表会を開催し、メインストリーム向け2.5インチSSD「Samsung SSD 840」の後継モデル「Samsung SSD 840 EVO」を発表した。8月上旬の発売を予定している。本稿では、発表会で説明された製品の特徴やパフォーマンスを紹介する。
最新3コアコントローラー「MEX」と
「TurboWrite technology」でアクセス速度を高速化
「Saamsung SSD 840」（以下、840）は、1セルに3ビットのデータを書き込める、Toggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリー（“3bit MLC NANDフラッシュメモリー”はサムスン独自の呼称で、いわゆる”TLC NANDフラッシュメモリー”と同等）を採用する世界初のSSDとして登場した。安価な価格と、メインストリーム向けSSDとして十分なパフォーマンスを備えていることで、現在でも高い人気を保っている。その直系の後継となるのが、今回発表されたSamsung SSD 840 EVO（以下、840 EVO）だ。
840の後継となるメインストリーム向けSSD「Samsung SSD 840 EVO」。840同様にToggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリーを採用するが、上位の840 PROに匹敵する速度を実現
容量は120GB/250GB/500GB/750GB/1TBの5種類がラインナップされ、日本では8月上旬より販売開始の予定。従来モデルの840は製造が終了となる。ちなみに、「Samsung SSD 840 PRO」（以下、840 PRO）は、840 EVOの上位モデルとして販売が継続される。
サムスン製SSDラインナップ。840 EVOの登場に合わせて840は製造終了。840 PROは上位モデルとして継続販売となる
840 EVOは、従来モデルの840と同様に、メインストリーム向けSSDという位置付けの製品。NANDフラッシュメモリーとして、Toggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリーを採用する点も従来と同じだが、840 EVOでは19 nmプロセスで製造された新世代のToggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリーに変更されている。
840との違いは、19nmプロセスの新世代NANDフラッシュメモリー、動作クロックが400MHzに上昇し33％高速となった新コントローラーMEX、最大1GBのLPDDR2キャッシュ、ファームウェアの強化など
コントローラーも、最新の「MEX」に変更。ARM Cortex-R4コアを3基内蔵する点は従来のMDXと同じだが、動作クロックが400MHzに向上。また、「TurboWrite technology」と呼ばれる高速アクセス技術を新たに搭載するとともに、キャッシュメモリーも最大1GBまで増量（搭載キャッシュメモリー容量は、120GBモデルが256MB、250/500GBモデルが512MB、750GB/1TBモデルが1GBとなる）。
容量は、120GBから1TBまで5モデルをラインナップする
このような進化によって、840で弱点だったシーケンシャルライトが最大520MB/sと大幅に高速化されるなど、上位モデルの840 PROに匹敵する性能を実現している。
840 EVOでは、アクセス速度がシーケンシャル、ランダムともに840から大幅に高まっており、上位の840 PROに匹敵する速度を実現している
