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SAMSUNG「MV-3T4G3D/US」

1.35Vで動作するDDR3L対応のSO-DIMMがSAMSUNGから

2012年03月09日 23時27分更新

文● 増田

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 従来より低電圧の1.35Vで動作するDDR3L対応のSO-DIMMメモリー「MV-3T4G3D/US」がSAMSUNGから登場。TSUKUMO eX.で販売中だ。

従来より低電圧の1.35Vで動作するDDR3L対応のSO-DIMMメモリー「MV-3T4G3D/US」がSAMSUNGから登場。8GB×2枚セットだ

 この製品は、DDR3 SO-DIMMメモリー初のDDR3L対応となるもの。8GB×2枚セットで、パッケージ記載の動作スペックはDDR3-1600時がCL11-11-11-28、DDR3-1333時がCL9-9-9-24、DDR3-1066時がCL7-7-7-20、DDR3-800時がCL6-6-6-18。製造プロセスは30nmで、動作電圧は定電圧の1.35Vと定格動作の1.5V。
 販売ショップによると「どのようなノートPCで動作するかは不明」とのことながら、ことバッテリー駆動時間も重要なノートPC用だけに気になる製品といえそうだ。価格は5480円となっている。

パッケージ記載の動作スペックはDDR3-1600時がCL11-11-11-28。動作電圧は低電圧の1.35Vと定格動作の1.5Vになる

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