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ロードマップでわかる!当世プロセッサー事情第96回

今さら聞けないメモリーの基礎知識 SDRAM~DDR3編

2011年04月12日 12時00分更新

文● 大原雄介(http://www.yusuke-ohara.com/

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DDRの手法は8バンクのDDR3に到達
だがその後継は?

 DDR-SDRAMと同様に、「DDR2-SDRAM」ではDRAMセルのバンクをさらに倍の4つとすることで、DRAMセルの速度は同じままで4倍速のデータ転送が可能となっている。さすがにひとつのクロック信号に合わせて4つデータを送るのは難しいため、クロック信号自身も2倍速になっている。「DDR2-400」ならば200MHz、「DDR2-800」ならば400MHzという具合だ。

 高速化した信号を安定化させるため、信号電圧は1.8Vまで下げられた。また、ダイ上に終端抵抗(ODT:On Die Termination)を搭載して信号波形の安定化を図ったほか、性能面でもプロトコルの改善などが図られている。

 DDR2をさらに倍速化したのが「DDR3-SDRAM」である。ついに8バンク同時アクセスという技で高速化した形だ。電源電圧も1.5Vまで下がっている。ただ、これに続いて登場する予定だった「DDR4-SDRAM」の登場が先送りされたため、やむなく「DDR3-2133」までを規格に追加し、合わせて信号電圧1.35Vの仕様を追加している。

 さて、ここまでは基本的にはメモリーチップの話をしてきたわけだが、実際にPCで使う場合はメモリーチップではなく、SIMMやDIMMとして搭載している。次回はこのあたりの話を取り上げよう。

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