富士通研究所、抵抗メモリー“ReRAM”のスイッチング速度を3倍以上高速化と発表

(株)富士通研究所は22日、次世代の不揮発性メモリー“ReRAM(抵抗メモリー)”のスイッチング速度を高速化することに成功したと発表した。

試作したReRAM素子の構造と電子顕微鏡写真

“ReRAM(Resistive Random Access Memory)”は、記憶素子に電圧を加えると抵抗値が大きく変化する現象を利用した不揮発性のメモリーで、微細化に適しており、製造コストが低いことから、フラッシュメモリーの後継として注目されているもの。

今回同社では、現在シリコンプロセスで使われている窒化チタン(TiN)膜を従来より高めの温度で熱酸化することで作成したReRAM素子を利用し、消去と書き込みの時間を従来の3分の1以下となる3ns以下で動作確認したという。また、電圧パルスの電圧を変えることで1つの素子に多値の記憶が可能なことも分かり、4値書き込みの実証も行なったという。

今後、フラッシュメモリーの代替として、高速/低消費電力/低コストの混載メモリーとして実用化を目指すとしている。

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