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バッファロー、次世代高速メモリーモジュール“DDR3 SDRAM DIMM”と“DDR3 S.O.DIMM”の開発完了を発表

2006年09月13日 17時56分更新

文● 編集部

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(株)バッファローは13日、次世代高速メモリーモジュール“DDR3 SDRAM DIMM”と“DDR3 S.O.DIMM”の開発を完了したと発表した。開発したのは、“DDR3 SDRAM DIMM”がDDR3-1066 6-6-6の240ピン(Unbufferd)で容量が512MB、“DDR3 S.O.DIMM”が204ピン(Unbufferd)で容量が256MBの2種類。

SDRAM DIMM  S.O.DIMM
“DDR3 SDRAM DIMM”“DDR3 S.O.DIMM”

“DDR3”は、現在主流のDDR2の2倍のスピードで動作し、1.5Vの電源電圧に対応しているのが特徴。同社は電子部品の標準化を推進する業界団体“JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)”のメンバーとしてDDR3メモリーモジュールの仕様策定に参画しており、同社がS.O.DIMMの設計を担当したという。

同社では、DDR3メモリーモジュールに対応したパソコンが2007年以降に登場すると見込んでおり、2008年にかけて本格的に市場が立ち上がると予測している。今後、1GB品や2GB品などの大容量化/高速化を進め、市場の立ち上がりに合わせて市場に投入するとしている。

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