富士通(株)は25日、読み出し/書き込みが高速で書き換え可能回数も多く、低消費電力が特徴の不揮発性メモリー“FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)”の新製品として、容量が1Mbitの『MB85R1001』『MB85R1002』の2製品の販売を開始すると発表した。同日付けで出荷を開始する。サンプル価格は2000円。
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| 『MB85R1002』 |
FRAMは、強誘電体膜をキャパシターとして利用する不揮発性メモリー。新製品は、1つのセルが1つのトランジスターと1つのキャパシターで構成される“1T1C”構成(従来は2T2C構成)を採用することで集積度を上げ、容量を1Mbitにしたのが特徴。動作電圧は3.0～3.6V。リードアクセスタイムは100ns。リードサイクル/ライトサイクルタイムは250ns。データ書き換え耐性は100億回以上で、データ保持能力は10年以上。0.35μmプロセスを採用する。
『MB85R1001』は128Kワード×8bit構成で、パッケージはTSOP48/TSOP32(予定)。『MB85R1002』は64Kワード×16bit構成で、パッケージはTSOP48/FBGA48。/LBと/UBの切り換え機能を搭載する。
