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バッファロー、“DDR2”メモリーモジュールの開発を完了――一般向け出荷は第2四半期

2004年02月20日 20時34分更新

文● 編集部

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(株)バッファローは20日、次世代メモリー規格“DDR2”に準拠したメモリーモジュールの開発を完了し、第2四半期に一般向けの出荷を開始する予定であると発表した。

“DDR2 Unbuffered DIMM” “DDR2 Registered DIMM”
“DDR2 Unbuffered DIMM”“DDR2 Registered DIMM”

“DDR2”(Double Data Rate Two)は、“DDR1”から、DRAMパッケージを変更し、データプリフェッチを2bitから4bitに拡張することで高速化するとともに、“Posted CAS”によりデータ転送効率を向上させた次世代メモリー規格。DDR1より駆動電圧が低く、消費電力も約40%に低減されているのが特徴。ターミネーターを搭載する“ODT(On-Die Termination)”を採用したことで、より安定した動作が可能となっている。

“DDR2 SO-DIMM”
“DDR2 SO-DIMM”

同社は、電子部品の標準化を推進する業界団体“JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)”を通して、国内の専業メモリーメーカーとして唯一、初期からDDR2規格の策定や設計に参加しており、“DDR2 SO-DIMM”のガーバー(Gerber:基板設計データ)は同社が設計したものという。

同社では、DDR2規格に対応した3種類のメモリーモジュール(Unbuffered DIMM、Registered DIMM、SO-DIMM)の基板の開発を完了、現在、各マザーボードメーカーと相互検証を実施しており、米インテル社のバリデーションも申請中としている。一般向けの出荷は第2四半期に開始する予定。

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