米IBM、ソニー(株)、(株)ソニー・コンピュータエンタテインメント、(株)東芝の4社は2日、IBMの“シリコン・オン・インシュレータ(SOI)”技術と、銅配線、低誘電体層間絶縁膜(low-k膜)などの技術、東芝の“システム・オン・チップ(SoC)”技術を利用して、次世代/次々世代の半導体プロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。開発期間は4年間。併せて、IBMのSOI技術をソニーと東芝に移転することで合意したと発表した。
共同開発するのは、デジタル家電からスーパーコンピューターまでの幅広いアプリケーションに対応した超高性能/低消費電力のシステムチップ。今後4年間で総額数億ドル(約数百億円)をかけ、300mmのウエハー向けの0.05μmプロセス技術を開発する。以後、このプロセス技術を基に、プロセッサー、メモリー、通信機能などをワンチップに集積するシステム・オン・チップの開発を進める。
共同開発は、米ニューヨーク州イーストフィッシュキルの“IBM半導体研究開発センター(IBM Semiconductor Research and Development Center)”で行なうという。
