日本AMD(株)は3日、米AMD社が同日付けで、スイッチング時間が0.3ピコ秒(ps:10-12秒)、ゲート長が15ナノメートル(nm:10-9メートル)のCMOSトランジスターを開発したと発表した。
このトランジスターは、同社が2009年前後に量産化を計画中の30nmプロセス世代のマイクロプロセッサーに採用を予定しているプロトタイプ。同社の“サブミクロン・プロセス研究開発センタ”が0.8ボルトの電圧で動作するように設計したという。
同社では、今回開発したトランジスターにより、今後10年間でLSIチップあたりのトランジスター数を20倍に、マイクロプロセッサーの性能を10倍に向上できるとしている。