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富士通研究所、1平方インチあたり100Gbitのハードディスク記録技術を開発

2001年08月20日 22時46分更新

文● 編集部

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(株)富士通研究所は20日、ハードディスク装置の記録密度を1平方インチあたり100Gbitにする技術を開発したと発表した。この技術により現行製品の約3倍の記録密度のHDDを製造することが可能になるとしており、2001年度下期に発売予定のHDDに採用する予定という。

開発したのは, 記録密度を従来の3倍に向上できる記録媒体“SFメディア(※1)”と、従来の2倍以上の出力でデータを読み出せるダブルスペキュラー型GMR(Giant Magneto-Resistive:巨大磁気抵抗効果)ヘッド、データの記録能力を30%以上向上させた高精度記録ヘッド。これにより、水平磁気記録の限界と言われていた1平方インチあたり100Gbitの記録密度を達成するとともに、その3倍の1平方インチあたり300Gbitを達成できる見通しを得たとしている。

※1 SFメディア :多層膜で構成される安定化層を記録層の下側に設けることで、媒体の熱ゆらぎによる信号劣化を抑圧し、記録分解能を劣化させずに、高密度記録を可能とした記録媒体。

SFメディアの断面構造(電子顕微鏡写真)
SFメディアの断面構造(電子顕微鏡写真)

ダブルスペキュラー型GMRヘッドは、多層膜の上下に、感度を増大させるための非常に薄い酸化物層を2層設けた構造を採用したことで、電子が余分な散乱を受けずに伝導するため、0.12μmの読み取りコア幅で十分な信号出力が得られたとしている。記録ヘッドは、コア幅が0.2μm以下のヘッドを高精度で製作できるプロセス技術と、高磁場を発生させる新規材料により、記録媒体上に0.16μm幅で、極微小な磁気信号を書き込むことができたとしている。

同社は今後、高出力のヘッドと組み合わせることで、1平方インチあたり300Gbitの記録密度の実現に向け開発を進めるとしている。

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