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米IBM、最大210GHz動作のトランジスターを開発

2001年06月26日 17時53分更新

文● 編集部

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日本アイ・ビー・エム(株)は26日、米IBM社が現地時間の25日にシリコンベースのトランジスターで最大210GHz動作が可能なトランジスターの形成に成功したと発表した。

最大210GHzまで高速化できるトランジスターを形成
左半分が従来の構造のトランジスターで、右半分が最大210GHzまで高速化できるトランジスター。緑色の部分がSiGe層

開発したトランジスターは、シリコン・ゲルマニウム(SiGe)素材と、電荷の流れを垂直化する新開発の構造を採用した“ヘテロ接合バイポーラ・トランジスター(Heterojunction Bipolar Transistor:HBT)”。HBTではSiGe層を薄くすることで性能向上が図れるため、性能は垂直方向を制御する低温エピタキシー(LTE)に依存し、水平方向のリソグラフィーには依存しない。したがって従来と同じ0.18μmルールのまま性能向上が可能という。これにより数ミリアンペアの消費電流で、最大210GHzまで高速化でき、約80%の性能向上と約50%の低消費電力化が行なえるとしている。

同社では、HBTのSiGe層を薄くすることでさらなる性能向上が見込めるとしている。今回発表した210GHz HBTデバイスは、RFアナログ回路に組み込み可能で、100Gbpsクラスの通信用回路をCMOSベースの単一シリコン上に形成できるという。

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