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インテル、極紫外線露光に対応した集積回路製造用フォトマスクを開発

2001年03月09日 19時05分更新

文● 編集部

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インテル(株)の9日付けの報道資料によると、米インテル社が8日、同社の研究者が極紫外線(EUV:Extreme Ultra Violet)の露光技術に対応したフォトマスク(回路原版)の開発に成功したと発表した。今回の成果により、半導体業界で次世代技術とされるEUV露光技術の実用性が実証されたとしている。

集積回路の製造において、従来の露光技術を用いたフォトマスクは、写真の焼き付け時の“ネガ”と同様に、深紫外線(DUV:Deep Ultra Violet)の光を透過させるように設計されている。一方、EUV露光技術の場合には、EUV光のほとんどが物質に吸収されるため、EUV用フォトマスクは、光を透過させるのではなく、光を反射させる必要がある。同社は、EUV露光技術のコンソーシアム“EUV LLC”の製造プロセスを用いて、温度変化による膨張/収縮が極めて少ない基板上に、極薄のモリブデン・シリサイドを積層した。“マスク・ブランク”と呼ばれるこの基板に、回路パターンを焼き付け、フォトマスクとして機能させるという。

同社では、従来のフォトマスク製造技術の延長線上にある新開発の“低温フォトマスク製造技術”を導入することで、フォトマスク上に多層反射体を生成。同社独自の回路パターンプロセス技術を採用することで、従来のプロセスより30%微細の50nmの線幅を実現した。同社のEUV露光技術はEUV LLCで採用されており、同技術の実用化により、今後10年間、“ムーアの法則”がシリコンウエハー上で有効だとしている。なお、EUV LLCは、米インテル社、米モトローラ社、米AMD社、米マイクロン・テクノロジー社、独インフォニオン社で構成される業界コンソーシアム。米エネルギー省管轄の3つの国立研究所(ローレンス・リバモア/サンディア/ローレンス・バークレイ)が構成するバーチャル国立研究所と協力し、EUV露光技術の開発/実用化を行なっている。

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