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インテル、0.13μmプロセス技術の開発を完了と発表

2000年11月09日 18時26分更新

文● 編集部

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インテル(株)の8日の発表によると、米インテル社は現地時間の7日、0.13μm(130nm(ナノメートル))世代のロジック技術の開発を完了したと発表した。同技術により、幅が人間の毛髪の約1000分の1に相当するトランジスターで構成する半導体の製造が可能になるとしている。

0.13μmのロジック技術には、6層のデュアルダマシン銅配線技術が採用される。配線キャパシタンス(静電容量)は、低誘電率のフッ化SiO2絶縁材料により低く抑えられている。

インテルでは、ゲート長が70nm、ゲート酸化膜が1.5nm、銅配線によるインターコネクト、低誘電率の絶縁材料といった特長を備えた技術を用いて、動作可能なSRAMとマイクロプロセッサーを製造した。0.13μmロジック技術は、1.3Vもしくはそれ以下で動作し、現在の最先端技術に比較して電圧を20パーセント削減できるという。これにより消費電力を削減し、モバイルコンピューティング向けマイクロプロセッサーのバッテリー寿命を延長できる。

0.13μmプロセスは、高速トランジスターと高速インターコネクトにより、0.18μm技術に比べ、マイクロプロセッサーの動作周波数を最大65パーセント向上させることができるとしている。

同技術による量産は2001年に開始される予定で、新世代の高性能マイクロプロセッサー製品を供給するという。これらのマイクロプロセッサーでは、1億個以上のトランジスターを集積し、数GHzのクロック周波数で動作するとしている。

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