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富士通がフラッシュメモリーとSRAMを混載したパッケージ商品を発売

1998年11月13日 00時00分更新

文● 報道局 伊藤咲子

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 富士通(株)は12日、フラッシュメモリーとSRAMを混載したBGA(Ball Grid Array)タイプのパッケージ商品『MB84VD2218x/19x』と『MB84VD2118x/19x』のサンプル出荷を開始した。メモリーとSRAMをスタック(積み上げ)構造にしており、16Mbitフラッシュメモリー搭載の『MB84VD2118x/19x』では8mm×11mmと業界最小クラスのサイズになっている。

 『MB84VD22』シリーズは32Mbitフラッシュメモリー『MBM29DL32×TD/BD』を、『MB84VD21』シリーズは16Mbitフラッシュメモリ『MBM29DL16×TD/BD』を使用。両シリーズとも、2.7~3.6Vでのデータ呼び出しと書きこみ、消去動作が可能。SRAMには2.7V対応の4MbitSRAMを採用し、CIOs端子を備えることで×8もしくは×16が選択できる。構成はトップブートタイプと、ボトムブートタイプの両方が用意されている。サンプル価格は『MB84VD22』が2800円、『MB84VD21』が2200円。

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