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米モトローラ、磁気抵抗ランダムアクセスメモリー方式を採用したメモリーチップを開発

2000年05月12日 00時00分更新

文● 編集部

モトローラ(株)は11日、米モトローラ社の研究部門であるモトローラ・ラボと、半導体セクターであるDigitalDNA研究所が共同で、磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(Magnetoresistive Random Access Memory)方式を採用したメモリーチップ(MRAM)を開発したと発表した。

同社が開発したMRAMのセルは、磁気トンネルジャンクション(Magnetic Tunnel Junction)をトランジスターの上部に配置することにより小型化し、メモリーチップの製造コストを削減できるという。また、3Vで動作する不揮発性のMRAMでは、アドレスアクセスタイムは15n秒以下で、無限回の読み書きサイクルに耐えられる。さらに、MRAMは、不揮発性のフラッシュメモリーで必要な高電圧のトンネリングや、DRAMで必要なバックグラウンドのリフレッシュが不要なため、バッテリーの消費が大幅に低減するという。そのほか、MRAMは、既存のCMOSとチップ上で統合できるため、システムLSIにも適するという。同社では、MRAMは、DRAM、フラッシュメモリーなど、SRAMを除く全てのメモリーチップの代替品になるとしている。同社は、より高密度のMRAMを開発し、MRAM技術を用いた製品を、2002~2003年に生産する予定。

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