富士通(株)は18日、富士通VLSI(株)と共同でシステムメモリー『64メガビットFCRAM(Fast
Cycle RAM)』(MB81E643242)のサンプル出荷を開始したと発表した。サンプル価格は3000円。
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1)を搭載したシステムメモリー。PDAなど携帯機器のデータメモリーや、プリンターなど情報機器のバッファーメモリーなど、低消費電力と高速性の両方を要求する分野向けに最適としている。FCRAMコアにSDRインターフェースを搭載したことにより、用途に適した動作周波数に応じた低レイテンシー(*2)をサポートし、高速ランダムアクセスを可能にしたという。また、動作周波数をおさえながら性能向上を図り、電磁波妨害(EMI*3)を軽減したという。プロセス技術は0.2μmプロセス
ポリシリコン4層メタル3層。電源電圧は3.3V。動作クロック周波数はRASサイクルタイムが39ナノ秒で、RASアクセスタイムは35ナノ秒(50MHz)。CASレイテンシーは1または2。パッケージはプラスチック
TSOP-86。
*1 SDRインターフェース(Single
Data Rate SDRAM Interface):一般的なSDRAM。クロックの立ち上り時に同期して動作する。 *2 レイテンシー(Latency):コマンド入力後に最初のデータが出力されるまでのクロック数。
*3 EMI(Electro
Magnetic Interference):電磁妨害。電子回路から、導線を伝わる信号が電磁波となって、電源ラインや接地ラインに信号が漏れ、この信号が他の電子回路に侵入して誤動作を起こすこと。
