日本電気(株)と(株)日立製作所は29日、DRAMに関する合弁会社“NEC日立メモリ*株式会社”に関し、合弁契約書に調印したと発表した。これは今年6月に発表された、両社のDRAM分野の提携合意を受けてのもの。新会社の設立は'99年12月末、事業開始は2000年4月の予定。親会社2社の新会社への出資額は折半。資本金は設立時2億円、2000年3月末に20億円の増資を計画する。
 | 新会社社長に就任する徳山賢二氏(現NECメモリ事業本部長) |
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*新会社の登記上の表記は、“エヌ・イー・シー日立メモリ”、“エヌイーシー日立メモリ”といった形になる予定
新会社社長は、現NECメモリ事業本部長の徳山賢二氏が、新会社副社長には日立半導体グループメモリ統括本部長の安井徳政氏が就任する。従業員はNECと日立から出向という形を採り、2000年4月時点で約200名、2001年4月時点で600～700名を予定している。
本社は東京都区内に、開発・試作拠点はウルトラ・クリーンルームを持つ神奈川県相模原市のNEC相模原事業場内。製造はこれまで親会社のDRAM生産拠点であったNEC広島とシンガポールのHitachi
Nippon Steel Semiconductor Singapore Pteを主力拠点として選出、生産を委託する形で業務を行なう。
本日、新会社が手掛ける製品として名前があがったのは、0.13μmプロセスでの256Mbitおよび512MbitのDRAM。これらについて、2001年の製品化を目指すという。
販売業務について、2000年12月末をめどとして、親会社2社のDRAM販売機能を新会社に統合し、2社の既存のDRAM製品と、新会社で開発した製品ともに新たな統一ブランドで販売する予定。
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| 左から新会社社長に就任する徳山賢二氏、NEC常務取締役の杉原瀚司氏、日立半導体グループ長兼CEO石橋正氏、新会社副社長に就任する安井徳政氏(現日立半導体グループメモリ統括本部長) |
NEC常務取締役の杉原瀚司(かんじ)氏は、合弁企業設立のメリットとして、技術開発力とそのスピード、価格競争力の増強を強調、「DRAM市場において、ワールドワイドで20パーセントのシェアの獲得を目指す」とした。新会社の競合企業としては、米マイクロン社と韓国の三星電子社の名前をあげた。
また新会社社長の徳山賢二氏は、この20パーセントという数字に関し、「2002～2003年の達成を目標とし、その時の売上規模は5000億円」と語った。なお、新会社の運営に関して、将来にわたる人事や投資計画は未定としている。
