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ソニー、低誘電率有機層間絶縁膜を用いた多層銅配線技術を開発

1999年06月01日 00時00分更新

文● 編集部 山本誠志

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ソニー(株)は、LSIの高速化と低消費電力化を実現する多層銅配線技術を開発した。層間絶縁膜として一般的に使われている二酸化シリコンに替わって有機膜を採用することで、層間絶縁膜の低誘電率化を実現(二酸化シリコンの比誘電率4.0に対し、有機膜の比誘電率は2.75)。有機膜と銅配線を組み合わせることで、二酸化シリコン膜とアルミニウム配線の組み合わせに比べ、配線遅延時間を約25パーセント短縮できるという。また、従来技術による0.13μmプロセスのLSIでは10層必要なところが、低誘電率有機層間絶縁膜と銅配線の組み合わせで6層にすることが可能としており、低コスト化も図れるという。

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