富士通(株)は18日、不揮発性メモリー“FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)”において、量産レベルでは世界最大容量(2007年4月17日現在、同社調べ)となる2Mbitの『MB85R2001』『MB85R2002』を同日付けで受注を開始すると発表した。サンプル価格は各2000円。
左がMB85R2001、右がMB85R2002
FRAMは、強誘電体膜をキャパシターとして利用する不揮発性メモリー。新製品は、同社で量産している1MbitのFRAM『MB85R1001』と『MB85R1002』の電気的特性を引き継ぎ、容量の向上を図った製品。前製品と同一のパッケージであるTSOP-48なので、1つのアドレスの追加接続のみで、メモリーの移行が行なえるのが特徴。動作電圧は3.0～3.6V。リードアクセスタイムは100ns。リードサイクル/ライトサイクルタイムは150ns。動作保証温度は－20℃～＋85℃。データ書き換え耐性は100億回以上で、データ保持能力は10年以上。
MB85R2001は256Kワード×8bit構成。MB85R1002は128Kワード×16bit構成で、パッケージはいずれもTSOP-48。
