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次世代96層チップへの実装計画も

SSDが更なる大容量化へ ウエスタンデジタルがQLCの3D NANDを発表

2017年07月26日 19時15分更新

文● 天野透/ASCII

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 米ウエスタンデジタルは7月24日(現地時間)、1セル4ビット(Quad Level Cell : QLC)のフラッシュメモリー技術「X4」を64ビット3D NANDで開発することに成功したと発表した。

 同社は過去に2D NANDのQLCを開発しており、今回の技術はこれを基にしたもの。第3世代にあたる「BiCS3」アーキテクチャーで開発され、従来の512ギガビットTLCチップの50%増加となる768ギガビット(96GB)のストレージ容量を1チップで提供するという。

 6月には次世代アーキテクチャー「BiCS4」を用いた96層のTLC 3D NANDを発表した同社。将来的にはこの96層BiCS4にもQLC NANDを搭載する予定としている。

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