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Samsung「Samsung SSD 840 EVO」

アクセスを高速化した「Samsung SSD 840 EVO」の技術とは?

2013年07月18日 17時50分更新

文● 平澤 寿康

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 韓国サムスン・エレクトロニクスは、18日にソウル市内のホテルで発表会を開催し、メインストリーム向け2.5インチSSD「Samsung SSD 840」の後継モデル「Samsung SSD 840 EVO」を発表した。8月上旬の発売を予定している。本稿では、発表会で説明された製品の特徴やパフォーマンスを紹介する。

最新3コアコントローラー「MEX」と
「TurboWrite technology」でアクセス速度を高速化

 「Saamsung SSD 840」(以下、840)は、1セルに3ビットのデータを書き込める、Toggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリー(“3bit MLC NANDフラッシュメモリー”はサムスン独自の呼称で、いわゆる”TLC NANDフラッシュメモリー”と同等)を採用する世界初のSSDとして登場した。安価な価格と、メインストリーム向けSSDとして十分なパフォーマンスを備えていることで、現在でも高い人気を保っている。その直系の後継となるのが、今回発表されたSamsung SSD 840 EVO(以下、840 EVO)だ。

840の後継となるメインストリーム向けSSD「Samsung SSD 840 EVO」。840同様にToggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリーを採用するが、上位の840 PROに匹敵する速度を実現

 容量は120GB/250GB/500GB/750GB/1TBの5種類がラインナップされ、日本では8月上旬より販売開始の予定。従来モデルの840は製造が終了となる。ちなみに、「Samsung SSD 840 PRO」(以下、840 PRO)は、840 EVOの上位モデルとして販売が継続される。

サムスン製SSDラインナップ。840 EVOの登場に合わせて840は製造終了。840 PROは上位モデルとして継続販売となる

 840 EVOは、従来モデルの840と同様に、メインストリーム向けSSDという位置付けの製品。NANDフラッシュメモリーとして、Toggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリーを採用する点も従来と同じだが、840 EVOでは19 nmプロセスで製造された新世代のToggle 2.0 3bit MLC NANDフラッシュメモリーに変更されている。

840との違いは、19nmプロセスの新世代NANDフラッシュメモリー、動作クロックが400MHzに上昇し33%高速となった新コントローラーMEX、最大1GBのLPDDR2キャッシュ、ファームウェアの強化など

 コントローラーも、最新の「MEX」に変更。ARM Cortex-R4コアを3基内蔵する点は従来のMDXと同じだが、動作クロックが400MHzに向上。また、「TurboWrite technology」と呼ばれる高速アクセス技術を新たに搭載するとともに、キャッシュメモリーも最大1GBまで増量(搭載キャッシュメモリー容量は、120GBモデルが256MB、250/500GBモデルが512MB、750GB/1TBモデルが1GBとなる)。

容量は、120GBから1TBまで5モデルをラインナップする

 このような進化によって、840で弱点だったシーケンシャルライトが最大520MB/sと大幅に高速化されるなど、上位モデルの840 PROに匹敵する性能を実現している。

840 EVOでは、アクセス速度がシーケンシャル、ランダムともに840から大幅に高まっており、上位の840 PROに匹敵する速度を実現している

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