東芝は5月21日、19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリーを発表した。
周辺回路の工夫により2ビット/セルの64ギガビットのNAND型フラッシュメモリーとしては世界最小の94平方ミリメートルというチップサイズを達成。同社独自の高速書き込み回路方式により、同じく2ビット/セル製品としては世界最速クラスの、25メガバイト/秒の書き込み速度を実現した。
なお、今月から本製品の量産を開始する。同プロセスを採用した3ビット/セル製品の開発も行っており、2013年度第2四半期に量産開始する予定。