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【INTERVIEW】失敗できない、だから難しい──“EOS Kiss Digital X”開発者に聞く

2006年10月23日 15時26分更新

文● 聞き手 小林 伸、撮影 岡田清孝

デジタル一眼レフ機が普及する足がかりを作り、同市場のブランドリーダーともなっている“EOS Kiss Digital”シリーズ。その最新モデルがこの秋登場した。

先代モデル『EOS Kiss Digital N』からの“正常進化”を標榜する『EOS Kiss Digital X』は、撮像素子も1000万画素の大台に到達。超音波振動によるローパスフィルターのほこり除去機能など新機能も搭載するなど、より死角の少ない1台となった。「失敗できないプレッシャーと戦った」と話す開発者に、同製品の魅力を聞いた。

開発陣
お話をうかがったEOS Kiss Digital Xの開発陣。カメラ開発センター部長の戸倉剛氏(中央)、同主幹研究員の杉森正已氏(右手前)、カメラ事業企画部の東原正樹氏(左奥)


過去の実績があるから実現できた1000万画素センサー

[――] EOS Kiss Digital Nは大変なヒット作となりました。その理由はどこにあったと考えていますか? また、その後継となるEOS Kiss Digital Xを開発する上での、コンセプトをお聞きしたいと思います。
[東原] 従来機種のEOS Kiss Digital Nで、一番インパクトが強かったのは、小型軽量。その次が高画質ですね。これが初代のKiss Digitalに比べて大きく変わった部分だったため、高評価を受けました。EOS Kiss Digital Xは、このEOS Kiss Digital Nをベースに従来ユーザーの要望を盛り込んだ“正常進化のモデル”であると考えています。
[――] 撮像素子は800万画素から1000万画素にステップアップしました。エントリー機である“Kiss”に、なぜ1000万画素のCCDを搭載したのでしょうか。
開発リーダーの戸倉氏
EOS Kiss Digital Xの開発リーダーを務めた戸倉剛氏
[戸倉] 今回の製品は、確かに“Kiss”のブランドを使用していますが、現状ではフィルムカメラのKissのように、エントリーとそれ以上の層がきれいに分離していません。確かに、EOS Kiss Digital Xの大きなターゲットは、コンパクトカメラからのステップアップを図るエントリー層ですが、実際には、従来のデジタル一眼レフのユーザーやハイアマチュア、プロのサブ機といった用途も考えていかなければなりません。そういう意味で、EOS Kiss Digital Xはエントリー機として割り切れる製品ではないのです。
[――] 中級より上の層を狙っていく上でも、1000万画素クラスの撮像素子が必要だったということでしょうか。
[戸倉] そうです。カメラとしての基本性能はすべて上げていく方向で考えました。操作性やインターフェースに関しては上位機と異なる部分もあるのですが、機能的には、エントリーよりも上のクラスのユーザーが満足できるものを目指しています。
[――] 1000万画素の撮像素子を自社で開発する上での難しさはどこにあったのでしょうか。
[戸倉] 800万画素から1000万画素へのステップアップ比はそれほど大きくないように感じるかもしれませんが、キヤノンとしては、APS-Cサイズで初めての1000万画素です。今までのセンサーと同じようなチャレンジがありました。従来と同じ作り方で、単純に画素の密度を高めるだけでは、(感度をはじめとした)性能が劣化してしまいます。性能を維持するための取り組みが必要になります。
[――] 具体的には、どういった取り組みをされましたか。
[戸倉] センサーで集めた信号をデジタル化する以前に、大きく2つの処理があると考えてください。ひとつは、いかに効率よく光を集めるかという部分。もうひとつが、その光をいかにきれいに電気信号として出力するかという部分になります。センサーの構造によって、その両方を改良しないといけません。一画素一画素に設けられたマイクロレンズを大きくして、レンズ間のギャップを狭め、より集光効率を高めるといった取り組みはその一例となります。
[――] 高画素化を行なっていく上には、常にハードルがあるというわけですね。
[戸倉] (2000年に発売された『EOS D30』に向けて)最初に取り組んだCMOSイメージセンサーは300万画素でした。エポックメイキングな新技術が導入されれば、階段状に技術が進化していきますが、現状ではリニアな技術改善を行なっていく必要があります。600万画素、800万画素という着実な進化の中で、現在ようやく1000万画素のレベルまで到達できたという状況です。


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