エルピーダメモリ、90nmプロセスの512Mbit DDR2 SDRAMを開発

エルピーダメモリ(株)は1日、90nm(0.09μm)プロセスを採用した512MbitのDDR2 SDRAMを開発したと発表した。

	メモリーセル部の断面写真

同社が開発した90nmプロセスは、DRAM製造で量産実績のある波長248nmのKrFエキシマレーザーリソグラフィー技術を基にしたもので、“OPC(Optical Proximity Correction:光近接効果補正)技術を採用することにより、ウエハーあたりの欠陥(ショートや断線など)をこれまでの100nm(0.10μm)製品と同等のレベルにしたのが特徴。平面積が100nm製品の80％となるコンタクトホールには、独自のシリサイド技術を利用し、接触抵抗を低減したという。

同社では、チップサイズの縮小により、100nm製品に比べて20％以上の生産性向上を見込んでおり、今回開発したプロセス技術を512M/1Gbit製品に展開し、高性能/高付加価値デバイスの供給能力を強化するとしている。

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